泰勒二厂：产能尚未动工，已被预订一空
据韩国《每日经济新闻》援引产业消息，三星电子位于美国得州泰勒市（Taylor）的第二座晶圆代工厂，将主要为 AMD 与英伟达的高带宽内存（HBM）生产基底裸片（base die）。工厂预计本月正式动工，规划产能已经获得客户预订，其中大部分订单来自 AMD——据称单 AMD 一家的需求就足以撑满规划产能。三星官方对此未予置评。
这座工厂将采用 2 纳米先进制程，厂区面积约 270 万平方英尺（约 25 万平方米），约为泰勒一厂（已与特斯拉签约）面积的 1.5 倍。按当前规划，2026 年 11 月启动全面施工，2029 年 2 月前后开始设备装机，2030 年正式量产。
为什么是 HBM 基底裸片：被争抢的隐形瓶颈
HBM 的结构分为存储裸片与底部的基底逻辑裸片，后者承担信号转接与互联控制，其制程水平直接影响 HBM 的带宽、功耗与整体性能。泰勒二厂归属晶圆代工线而非存储产线，专门承接这类 HBM 配套逻辑芯片，与三星传统的 DRAM 存储晶圆分属不同业务。量产模式上，三星计划把美国产出的基底裸片与韩国本土生产的 DRAM 配对，以成品 HBM 形式交付客户。
在 AI 算力需求持续扩张、HBM 供应整体吃紧的背景下，除了存储晶圆，基底裸片与封装产能同样成为产业链争抢的资源。AMD、英伟达作为 HBM 核心采购方提前锁定上游代工产能，是行业长协锁产能趋势下的典型动作。
客户结构里的不确定项：英伟达的 NVHBM 变量
AMD 之外，英伟达的份额则存在不确定性。据早前报道，英伟达已要求三星、SK 海力士、美光三家存储厂将其下一代定制 NVHBM 的基底裸片统一交由台积电以 3 纳米工艺代工，以实现跨供应商标准化——这可能限制英伟达在三星泰勒二厂的订单规模。三星也在评估自身代工工艺能否生产 NVHBM 基底裸片，作为台积电产能不足时的备选。
这与本栏目此前关于英伟达 NVHBM 改写存储分工、三星将 HBM 基底裸片交台积电 3 纳米代工的报道互为表里：泰勒二厂若主要服务 AMD，恰好说明在英伟达的供应链版图中，三星代工的角色仍存在变数。Broadcom 也被业界视为泰勒二厂的潜在客户。
更大的图景：三星代工求拐点
报道还提到，三星正通过台湾 ASIC 设计公司 Faraday，为某美国云客户以 2 纳米工艺代工 AI 芯片，若能落地，将帮助三星吸引寻求台积电替代方案的客户。路透数据显示，三星第三季代工收入受益于 HBM 逻辑裸片销售与超大规模客户的先进 2 纳米订单，但代工业务整体仍处亏损。
把泰勒二厂放在更长的时间轴上看，它是三星在美国本土补全 AI 算力产业链的一步：用先进制程锁定 HBM 配套产能，既承接 AMD 等客户的长协，也为未来 NVHBM 角色保留可能。但一切仍以实际装机与量产为准——在 2030 年到来之前，客户结构与代工良率都还是未知数。
为什么基底裸片值得单独建厂
在 HBM 价值量里，基底裸片虽小，却是决定带宽与功耗的关键。随着 HBM 从 HBM3E 向 HBM4、HBM4E 演进，堆叠层数增加、逻辑复杂度上升，基底裸片对先进逻辑制程的依赖只会加深。三星现有量产的 HBM4 与送样的 HBM4E 采用 4 纳米基底裸片，而泰勒二厂的 2 纳米产线面向更后续世代——这意味着谁握有先进基底裸片产能，谁就在下一代 HBM 的供给版图中多一张牌。对 AMD 而言，提前把这部分产能锁在美国本土，既能缩短供应链地理距离，也降低了跨太平洋运输与地缘扰动的风险。这正是长协锁产能在 AI 时代愈发普遍的缩影。